杏鑫- 官网代理,品牌保障!

Connor-Winfield DOT050F-010.0M TCXO

发布时间：2025-08-27 08:51:12     浏览：2947

　　Connor-Winfield DOT050F-010.0M 是10.0000MHz温度补偿晶体振荡器TCXO。

Connor-Winfield DOT050F-010.0M TCXO

　　关键特性

　　输出逻辑：LVCMOS

　　电源电压：3.3V

　　频率：10.0000 MHz

　　频率稳定性:±50 ppb(全温范围内)

　　温度范围:0°C ~ 70°C

　　最大供电电流：10 mA

　　启动时间：≤10 ms

　　相位抖动(RMS)：≤5 ps

　　集成相位噪声：0.5~1.0 ps(12 kHz 至 Fo/2)

　　封装：6-SMD(无引线)

　　尺寸：13.97mm × 9.02mm × 6.86mm

　　电气参数

　　(1) 频率相关参数

　　频率校准(25°C)：±1.0 ppm

　　老化(1天)：±10 ppb

　　老化(1年)：±300 ppb

　　频率随负载变化：±20 ppb(15pF 参考)

　　频率随电压变化：±20 ppb(±5% Vcc 变化)

　　(2) 相位噪声(典型值 @12.8MHz 示例)

　　偏移频率噪声(dBc/Hz)

　　1Hz-70

　　10Hz-100

　　100Hz-130

　　1kHz-148

　　10kHz-154

　　100kHz-155

　　(3) 输出特性(LVCMOS)

　　负载电容：15pF

　　输出高电平(Voh)：≥90% Vcc

　　输出低电平(Vol)：≤10% Vcc

　　上升/下降时间(10%~90%)：≤8 ns

　　占空比(50% Vcc)：45%~55%

　　应用领域

　　通信设备(5G/光纤)

　　高精度时钟同步

　　工业自动化控制系统

　　测试与测量仪器

更多Connor-Winfield晶振产品可咨询立维创展。

推荐资讯

  • 3.3-5.0GHz S/C波段射频功率晶体管Ampleon
    3.3-5.0GHz S/C波段射频功率晶体管Ampleon 2024-04-16 09:36:31

    Ampleon的 3.3-5.0 GHz S/C波段射频功率晶体管，以其宽带和高效特性，成为提升系统性能的优选方案。无论您的需求是何种5G应用，我们都能为您提供多种紧凑型射频设备，让您轻松选择最适合您系统的无线电解决方案。选择Ampleon，就是选择高效能与可靠性的完美结合。

  • Infineon英飞凌IRF5NJZ48单N沟道功率MOSFET
    Infineon英飞凌IRF5NJZ48单N沟道功率MOSFET 2024-04-08 09:57:54

    IRF5NJZ48是International Rectifier推出的第五代HEXFET功率MOSFET，适用于开关电源、电机控制、逆变器等领域。具有低RDS(上)、高雪崩能量、优秀动态dv/dt值等特点。采用55V单N沟道Hi-Rel MOSFET,在SMD-0.5封装中密封，适用于严苛环境。

在线留言

在线留言
【网站地图】【sitemap】