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Ampleon射频功率晶体管国防通信与电子对抗专用

发布时间：2025-08-20 08:42:39     浏览：3030

　　Ampleon公司为满足国防通信和电子对抗等场景应用，提供了两种晶体管技术：硅横向双扩散金属氧化物半导体(Si LDMOS)和氮化镓碳化硅高电子迁移率晶体管(GaN-SiC HEMT)。

Ampleon射频功率晶体管国防通信与电子对抗专用

　　技术对比与应用场景

技术电压范围适用频段典型功率优势场景
Si LDMOS28V - 65VHF至L波段（<1 GHz）10W - 1600W多倍频程带宽、低成本、成熟工艺
GaN-SiC HEMT50VVHF至S波段（>1 GHz）10W - 100W高频宽带、低寄生电容、高线性度


Si LDMOS系列型号

Part NumberOperating VoltageFrequency Range
(instantaneous)		Power LevelPsat EffPackage TypeApplication Reports
BLP15H9S10G50V
35-50V		2 through 30 MHz
30 through 512 MHz		>10W
>4W		>50%
>25%		SOT1482-1AR212123
AR212089
ART35FE50-65V2 through 30 MHz>30W>35%SOT467CAR212131
ART1K6FH50V2 through 30 MHz>700 W>55%SOT539ANAR212082
BLP15H9S30
2×BLP15H9S30		50V30 through 1000 MHz
30 through 512 MHz		>25W
>50 W		>35%SOT1482-1AR212026
AR212058
BLP15H9S10050V30 through 800 MHz>75W>37%SOT1482-1AR212005
BLP15M9S3032V30 through 512 MHz>25W>50%SOT1482-1AR192035
BLP15M9S10032V148-175 and 400-470 MHz
(Only Narrow Band)		>90/100W>45%SOT1482-1AR212114
AR202140
BLP974P50 through 28V30-512 MHz400 Wat 50V>50%SOT539AAR201250
BLP647P32V30-512 MHz100Wat 28V>58%SOT1121AAR212016
ART700FE62V30-512 MHz>600 W(pulse)45%SOT1214AWork in Progress
ART2KOFE62V
50V		20 through 100 MHz>1400 W
>1000 W		>60%
>60%		SOT539ANWork in Progress


GaN-SiC HEMT系列型号

Part NumberOperating VoltageFrequency RangePower LevelPackage TypeApplication Reports
CLF3H0060L-1050V200 through 3200 MHz>10WSOT1227AAR212149
CLF3H0060L-3050V500 through 2500 MHz>30WSOT1227AAR202113
CLF3H0035L(S)-10050V500 through 2500 MHz>100WSOT467CAR202037

Ampleon是一家全球领先的射频和功率半导体解决方案提供商，提供包括射频功率放大器、收发器、射频开关、驱动电路和功率控制器等在内的广泛产品线，适用于4G LTE、5G NR基础设施、广播、工业等多个领域，深圳市立维创展科技有限公司优势分销Ampleon产品线，欢迎咨询了解。

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