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    Solitron碳化硅电源模块

    发布时间：2024-10-28 08:58:35     浏览：1460

    　　Solitron公司生产的一系列基于硅碳化物(SiC)半导体的功率�？�。这些模块设计用于提高电源应用的系统效率、尺寸、重量、外形尺寸和工作温度范围。

    Solitron碳化硅电源�？�

    　　关键特性：

    　　1. 零正向和反向恢复：意味着这些�？樵诳厥彼鸷姆浅５汀�

    　　2. 温度独立开关行为：�？榈男阅懿换崴孀盼露缺浠浠�。

    　　3. 非常低的杂散电感：这对于SiC MOSFETs的全速开关至关重要。

    　　4. ALN基板：用于提高硅碳化物MOSFETs的热导率，从而实现更好的系统热性能、更低的开关损耗和更高的可靠性。

    　　5. 内部热敏电阻：用于温度监测。

    　　产品系列：

    　　半桥�？�：这些�？榫哂蟹浅５偷脑由⒌绺校屎细咚倏�。

    　　全桥�？椋禾峁└呙芏鹊墓β首唤饩龇桨�。

    　　PowerMOD系列：应用特定功率�？椋没Э梢匝≡癫煌牡缏放渲煤头庾把∠睿宰罴训厥视μ囟ㄓτ�。

    　　应用领域：

    　　开关模式电源

    　　逆变器

    　　电池充电器

    　　执行器和电机控制应用

    　　产品规格：

    Device TypeType NumberVolltageContinuous
    Current    		RsmTemperature
      Range    		Recovery
    Diodes    		Package
    Half BridgeSD114871200V95A12mQ-55℃to 175℃Yes6x6
    Half BridgeSD119021200V50A32mg-55℃to 175℃Yes3x6B
    Half BridgeSD119031200V50A32mg-55℃to 175℃No3x6A
    Half BridgeSD119041200V50A32mo-55℃to 175℃Yes3x6A
    Half BridgeSD119051200V50A32mg-55℃to 175℃No3x6B
    Half BridgeSD119061200V105A13mo-55℃to 175℃Yes3x6B
    HalfBridgeSD119561200V105A13mg-55℃to 175℃No3x6B
    Half BridgeSD119071200V105A13mo-55℃to175℃Yes3x6B
    Half BridgeSD119571200V105A13mQ-55℃to 175℃No3x6B
    Half BridgeSD11908650V50A7mo-55℃to 175℃Yes3x6B
    HalfBridgeSD119101200V50A8mg-55℃to 175℃Yes3x6B
    Dual MOSFETSD11911*1200V50A8.6mQ-55℃to 175℃Yes4x6
    Dual MOSFETSD11912*1200V105A13mo-55℃to 175℃Yes4x6
    Full BridgeSD11915*1200V40A32mo-55℃to 175℃Yes4x10


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